本文摘要：据科技部消息，在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等反对下，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制取技术等，突破了锑化物量子阱激光器的光刻与腐蚀等核心工艺技术。

据科技部消息，在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等反对下，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制取技术等，突破了锑化物量子阱激光器的光刻与腐蚀等核心工艺技术。在此基础上，研究团队创意设计金属光栅侧向耦合产于对系统（LC－DFB）结构，顺利构建了2μm波段高性能单模激光器，边模诱导比超过53dB，是目前同类器件的最高值；而且输出功率超过40mW，是目前同类器件的3倍以上。在锑化物量子阱大功率激光器方面，FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别构建1.62瓦和16瓦的室温倒数输出功率，综合性能超过国际一流水平并突破国外高端激光器进口容许性能的规定条款。

该研究成果攻下了短波红外激光器领域关键技术，在危险性气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多高新技术产业具备非常广阔的应用于价值。

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